
19일 고려대에 따르면 이 씨는 지난해 스페인 세비아에서 개최된 '제40회 ESSDERC 2010'에서 발표한 논문, <Experimental Analysis of Surface Roughness Scattering in FinFET devices>로 높은 평가를 받았다. 논문에서 이 씨는 차세대소자로 주목받고 있는 FinFET의 3차원 구조표면 특성과 소자성능간 상관 관계를 비파괴적으로 분석할 수 있는 방법을 제시했다. FinFET은 소자의 집적도가 높아짐에 따라 생기는 부작용을 줄이기 위해 3차원으로 만들어진 반도체 소자다.
한편 ESSDERC은 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers·미국전기전자학회) 후원을 받아 개최되며 마이크로-나노반도체소자연구에 대한 학술교류를 목적으로 하는 학회다.
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