[대학저널 이원지 기자] 가천대학교(총장 이길여) 학부생이 SCI논문을 발표해 주목을 받고 있다.
가천대 전자공학과 4학년 유은선 씨가 주저자로 참여한 ‘Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel’이 최근 SCI저널인 ‘Japanese Journal of Applied Physiscs(JJAP)’ 온라인 판에 게재됐다.
이번 연구에서는 다양한 반도체칩의 근간인 실리콘 게르마늄을 이용해 실리콘 나노와이어 표면상에서 초박막 채널을 형성하는 구조를 기반으로 반도체소자 시뮬레이션을 통해 10 nm 이하의 채널 길이 영역에서 트랜지스터의 저전력 및 고속 동작 특성을 더욱 향상시킬 수 있다는 것을 입증했다.
이 논문은 특히 20년 이상 차세대 비메모리 반도체를 위한 게르마늄 연구를 집중적으로 해 온 일본의 대표적 학회인 일본응용물리학회(JSAP) 주관의 저널 심사에서 우수성을 인정받았다는 데 의미가 크다.
유 씨는 “실제로 반도체 시물레이션을 하고 논문을 작성하면서 연구설계, 방법 등을 배울 수 있었다”며 “이번 경험을 토대로 반도체 소자 설계를 선도하는 연구자가 되고 싶다”고 말했다.
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