한국외대 정창욱 교수, 'Advanced Materials'에 논문 게재
한국외대 정창욱 교수, 'Advanced Materials'에 논문 게재
  • 이승환 기자
  • 승인 2019.09.05 15:25
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정창욱 교수

[대학저널 이승환 기자] 한국외국어대학교(총장 김인철) 정창욱 교수(자연과학대 전자물리학과)가 독일 아헨공대의 R. Dittmann 교수와 R. Waser 교수, 서울대 김미영 교수와 공동연구를 통해 고유한 층상구조를 가지는 금속산화물인 SrFeOx에서 발생하는 저항스위칭 메모리 현상에 대한 메커니즘을 밝히는데 성공했다.

연구결과는 국제저명학술지(SCI) 중 상위 1%에 들어가는 ‘어드밴스드 머티리얼즈’(Advanced Materials) 2019년 8월에 게재됐다. 정창욱 교수는 교신저자이고 한국외대 박사과정 중인 Raveendar학생이 제1저자다.

저항스위칭기억소자는 기존의 메모리인 DRAM, SRAM, FLASH에 비해서 집적화, 동작스피드, 비휘발성 등 여러 가지 면에서 매우 큰 장점을 가진 보편적 메모리(Universal memory)라고 기대돼 왔다. 저항스위칭 기억소자는 가장 최근에 주목받고 있는 뇌모방 정보처리와 관련해서도 핵심적인 부분을 차지하고 있다.

한국외대 연구팀이 세계최초로 저항스위칭을 발견한 SrCoO2.5와 SrFeO2.5 물질에서 더욱 놀라운 점은 이 상전이가 매우 재현성이 있고 10 ns이하의 초고속으로 스위칭이 일어난다는 것이다.

2019년 8월에 발표된 논문에서는 저항스위칭기억소자 특성을 발견할 당시 제안했던 스위칭의 근본 작동원리(swtiching mechanism)을 나노수준에서 분명하게 규명한 것이다. 이를 위해서 이탈리아 Trieste의 첨단 가속기 연구소에서 나노수준의 분광기를 이용했다.

본 연구는 한국연구재단의 중견연구자 지원사업(중견, 개인)의 지원으로 이루어졌다.


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